廣發(fā)證券：IGBT行業(yè)市場增長空間廣闊(薦股)

IGBT是目前發(fā)展最為迅速的新一代功率器件

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的新一代功率半導體分立器件，其綜合GTR和MOSFET的優(yōu)點，具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點，廣泛應用于小體積、高效率的變頻電源、電機調(diào)速、UPS以及逆變焊機當中，是目前發(fā)展最為迅速的新一代功率器件。

國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)需求明確，市場增長空間廣闊

由于下游各細分應用市場需求的快速增長，我國已成為全球最大的功率半導體器件消費國。根據(jù)賽迪顧問統(tǒng)計，2009年我國功率半導體器件市場規(guī)模已達到1215.3億元，2005年到2009年市場復合增長率達到22.42%。IGBT市場規(guī)模占功率器件總市場規(guī)模比例為7.05%，目前市場還處于起步階段，應用還不是很多，但由于IGBT代表了未來功率器件的技術(shù)趨勢，發(fā)展速度很快。未來受益于變頻器產(chǎn)業(yè)、變頻家電產(chǎn)業(yè)以及軌道交通產(chǎn)業(yè)的大力推動，我們認為國內(nèi)IGBT市場增長空間非常大，預計2011年市場規(guī)模將達到60.2億元，增速達到30%。

國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)剛剛起步，與國外企業(yè)存在較大技術(shù)差距

目前國內(nèi)IGBT市場仍主要由外資企業(yè)所把控，前十大的廠商主要是歐美、日本以及臺灣的廠商，包括Fairchild、ST、IR、ON Semiconductor、NS、NXP、Infineon、Toshiba以及Renesas。我國企業(yè)在技術(shù)、設備以及人才等各方面與國外企業(yè)的差距都非常大，在芯片設計、芯片制造、模塊封裝以及單管封裝等IGBT產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)都有非常大的提升空間。

IGBT產(chǎn)業(yè)投資分析

我們認為國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)正處于起步階段，企業(yè)在IGBT芯片設計、制造以及封裝各環(huán)節(jié)的技術(shù)積累都比較少；而相對于國內(nèi)產(chǎn)業(yè)技術(shù)的弱勢，國內(nèi)IGBT市場需求卻正快速增長，目前已成為全球最大的IGBT消費市場。這意味著國內(nèi)企業(yè)未來的發(fā)展方向是提升進口替代實力，以技術(shù)實力、價格優(yōu)勢和客戶優(yōu)勢搶占市場份額，而這里面技術(shù)實力是最為關鍵的因素，能夠提供滿足客戶技術(shù)需求的企業(yè)將率先脫穎而出，享受行業(yè)增長的盛宴；另一方面，功率器件的供貨認證過程需時較長，通?？蛻粢坏┱J可上游供應商，便不會輕易變動，合作關系比較穩(wěn)定。所以我們認為IGBT產(chǎn)業(yè)的投資價值最直接體現(xiàn)在能夠首先突破技術(shù)瓶頸實現(xiàn)量產(chǎn)的能力，這也是我們評估企業(yè)投資價值的標準。我們建議積極關注華微電子、科達股份和臺基股份的IGBT產(chǎn)業(yè)化進展。(廣發(fā)證券研究中心)

湘財證券：關注逆變器類上市公司(薦股)

據(jù)iSuppli 公司最新公布的一項調(diào)查報告表示，2014 年全球太陽能逆變器的出貨量將超過2330 萬臺，2010 年260 萬臺的九倍之多。同時，該領域的利潤額也預計將由2010 年的53 億美元漲至2014 年的89 億美元。

作為一款技術(shù)成熟并擁有穩(wěn)定的供需態(tài)勢的產(chǎn)品，IGBT 在一些熱門產(chǎn)品應用中的銷量正逐步上漲，其中包括自動化電子產(chǎn)品、光伏及風力逆變器等。同時，由于對IGBT 增產(chǎn)計劃的保守性投資，該產(chǎn)品強勁的市場需求已導致了產(chǎn)品供應上的緊縮狀態(tài)。

盡管市場需求量漲幅巨大，但在全球范圍內(nèi)，今年逆變器的每瓦成本仍將下降13.5%左右。尤其是亞洲的供應商，即使在提供較低的所有權(quán)成本等方面的銀行可貼現(xiàn)能力受到質(zhì)疑，各供應商也還是不斷地努力將成本壓至最低。

建議投資者關注具有逆變器生產(chǎn)能力的公司，如榮信股份、科華恒盛、國電南自、九洲電氣。(湘財證券研究所)